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日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計 CS-620F在 3D NAND 制程中,沉積幾十層二氧化硅和氮化硅,并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層。在該制程中,通過控制化學藥液的濃度和溫度,可以獲得期望的刻蝕速率。成熟型號很難測量高溫化學藥液,但 CS-620F 能夠在高達 170℃ 的高溫下進行測量。使用吸收光譜進行連續(xù)測量,與其他方法相比,需要的維護和耗材更少。
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日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計 CS-620F
在 3D NAND 制程中,沉積幾十層二氧化硅和氮化硅,并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層。在該制程中,通過控制化學藥液的濃度和溫度,可以獲得期望的刻蝕速率。成熟型號很難測量高溫化學藥液,但 CS-620F 能夠在高達 170℃ 的高溫下進行測量。使用吸收光譜進行連續(xù)測量,與其他方法相比,需要的維護和耗材更少。
主要特征:
可測量高達 92% 的高濃度磷酸
無需冷卻機制和冷卻時間。
無需冷卻循環(huán)管路中的高溫磷酸(140 至 170℃),可直接測量。
樣品使用PFA接觸,以降低污染風險。
采用每半年一次的背景校正周期,有助于顯著減少機臺停機時間。
每3秒更新一次測量數(shù)據(jù),有助于更快速使用濃度反饋進行控制
日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計 CS-620F
在 3D NAND 制程中,沉積幾十層二氧化硅和氮化硅,并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層。在該制程中,通過控制化學藥液的濃度和溫度,可以獲得期望的刻蝕速率。成熟型號很難測量高溫化學藥液,但 CS-620F 能夠在高達 170℃ 的高溫下進行測量。使用吸收光譜進行連續(xù)測量,與其他方法相比,需要的維護和耗材更少。
主要特征:
可測量高達 92% 的高濃度磷酸
無需冷卻機制和冷卻時間。
無需冷卻循環(huán)管路中的高溫磷酸(140 至 170℃),可直接測量。
樣品使用PFA接觸,以降低污染風險。
采用每半年一次的背景校正周期,有助于顯著減少機臺停機時間。
每3秒更新一次測量數(shù)據(jù),有助于更快速使用濃度反饋進行控制