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日本Coper Electronics 介紹一種功率半導(dǎo)體熱阻測(cè)試儀瞬態(tài)熱阻測(cè)量?jī)x

更新時(shí)間：2024-04-15

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　　介紹一種功率半導(dǎo)體熱阻測(cè)試儀。

　　熱阻測(cè)量器

瞬態(tài)熱阻測(cè)試儀系列

　　瞬態(tài)熱阻測(cè)量?jī)x是測(cè)量IGBT/MOS-FET/Diode/BJT等的瞬態(tài)熱阻的裝置。

　　BJT瞬態(tài)熱阻測(cè)量?jī)x是向集電極·發(fā)射極間施加指的定的功率，使芯片溫度上升，求出其前后的微小電流(Im)引起的基極·發(fā)射極間電壓差(ΔVBE)的裝置。這樣可以推測(cè)試料的熱阻。

　　IGBT瞬態(tài)熱阻測(cè)量?jī)x與BJT瞬態(tài)熱阻測(cè)量?jī)x一樣，是計(jì)算柵極發(fā)射極之間電壓差(ΔVGE)的測(cè)量?jī)x。

　　P-MOS FET瞬態(tài)熱阻測(cè)量?jī)x與BJT瞬態(tài)熱阻測(cè)量?jī)x一樣，是計(jì)算柵極和源極之間電壓差(ΔVGS)的測(cè)量?jī)x。

　　可以在BJT瞬態(tài)熱阻測(cè)試儀的基極、發(fā)射極之間測(cè)量二極管的δVF。

　　◇主要規(guī)格

施加電壓	2~30/100/600/1200V
通電電流	0.1至30/100/200/500/1000 a
電力施加寬度	100、200和500μs 1、2、5、10、20、50、100、200、500 ms 1S，2S，30S，DC
測(cè)量電流( Im )	1至1~99/199/999mA
測(cè)量范圍	ΔVBE: ~999/1999mV (但VBE MAX: 3V ) ΔVGS/VGE: ~999/1999/9990mV (但VGS/VGE MAX: 20V )
采樣點(diǎn)	Td 50~990μS

　　※熱電阻測(cè)量?jī)x有功率限制，電壓、電流施加時(shí)間會(huì)限制可測(cè)量的區(qū)域。此外，根據(jù)規(guī)格的不同，裝置的大小和重量會(huì)有很大的變化。上述規(guī)格僅為一個(gè)例子，設(shè)計(jì)、制作需要詳細(xì)協(xié)商。

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