特征
晶圓繪圖單元能夠自動繪制厚度達(dá)300 mm的整個晶圓表面的薄膜厚度測量。自動對準(zhǔn)功能、自校準(zhǔn)功
能和高平整度晶圓夾盤可實(shí)現(xiàn)高度可靠的薄膜厚度測量。該裝置與一起使用緊湊型薄膜厚度監(jiān)控器.
它可以安裝在半導(dǎo)體制造設(shè)備的裝載端口，以控制制造設(shè)備上的薄膜厚度，同時保持清潔度。
1
高達(dá)300 mm晶片的自動薄膜厚度繪圖測量是可能的
4
通過采用具有高平整度的晶片卡盤來提高晶片表面的測量可靠性
測量數(shù)據(jù)示例(等高線圖)
鍵合晶片的硅厚度(nm)
測量數(shù)據(jù)的示例(3D膜厚度分布)
鍵合晶片的硅厚度(nm)
測量數(shù)據(jù)示例(薄膜厚度直方圖)
鍵合晶片的硅厚度
測量數(shù)據(jù)的例子(多個晶片的膜厚度分布的箱線圖)
五種晶片的膜厚分布趨勢
更新時間：2023-12-08 
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